IRF2807ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 89А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Казань

56,00 руб.

Артикул: 1125862 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	56,00руб.	52,08руб.	50,40руб.	49,28руб.	45,92руб.	44,80руб.	43,68руб.	40,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	101,36руб.	92,96руб.	91,28руб.	89,04руб.	82,88руб.	81,20руб.	78,96руб.	71,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	131,04руб.	120,96руб.	118,16руб.	115,36руб.	107,52руб.	104,72руб.	102,48руб.	91,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	67,20руб.	61,60руб.	60,48руб.	58,80руб.	54,88руб.	53,76руб.	52,08руб.	47,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	129,36руб.	119,28руб.	116,48руб.	113,68руб.	110,32руб.	106,40руб.	100,80руб.	90,72руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF2807ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 89А [TO-220AB]The IRF2807ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is also suitable for AC-to-DC, consumer full-bridge, full-bridge and push-pull applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax