IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Казань

26,00 руб.

Артикул: 1125987 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	26,00руб.	24,18руб.	23,40руб.	22,88руб.	21,32руб.	20,80руб.	20,28руб.	18,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	47,06руб.	43,16руб.	42,38руб.	41,34руб.	38,48руб.	37,70руб.	36,66руб.	33,02руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	60,84руб.	56,16руб.	54,86руб.	53,56руб.	49,92руб.	48,62руб.	47,58руб.	42,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	31,20руб.	28,60руб.	28,08руб.	27,30руб.	25,48руб.	24,96руб.	24,18руб.	21,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	60,06руб.	55,38руб.	54,08руб.	52,78руб.	51,22руб.	49,40руб.	46,80руб.	42,12руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]The IRF7401PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.

• Generation V technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Fully avalanche rating