2

IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Казань

65,00 руб.

x 65,00 = 65,00
Артикул: 1126018 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней65,00руб.60,45руб.58,50руб.57,20руб.53,30руб.52,00руб.50,70руб.46,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней117,65руб.107,90руб.105,95руб.103,35руб.96,20руб.94,25руб.91,65руб.82,55руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней152,10руб.140,40руб.137,15руб.133,90руб.124,80руб.121,55руб.118,95руб.106,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней78,00руб.71,50руб.70,20руб.68,25руб.63,70руб.62,40руб.60,45руб.54,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней150,15руб.138,45руб.135,20руб.131,95руб.128,05руб.123,50руб.117,00руб.105,30руб.

Характеристики

IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]The IRF7832PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.

• Ultra-low gate impedance
• Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
• 100% Rg tested
• 20V VGS Maximum gate rating

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n-канал