IRF9952PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Казань

21,00 руб.

Артикул: 1126055 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	21,00руб.	19,53руб.	18,90руб.	18,48руб.	17,22руб.	16,80руб.	16,38руб.	15,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	38,01руб.	34,86руб.	34,23руб.	33,39руб.	31,08руб.	30,45руб.	29,61руб.	26,67руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	49,14руб.	45,36руб.	44,31руб.	43,26руб.	40,32руб.	39,27руб.	38,43руб.	34,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	25,20руб.	23,10руб.	22,68руб.	22,05руб.	20,58руб.	20,16руб.	19,53руб.	17,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	48,51руб.	44,73руб.	43,68руб.	42,63руб.	41,37руб.	39,90руб.	37,80руб.	34,02руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF9952PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]The IRF9952PBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infra-red or wave soldering techniques.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Very low gate charge and switching losses
• Fully avalanche rated