FGL40N120ANTU, БТИЗ транзистор, 64 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ

Поставка электронных компонентов в Казань

1.360,00 руб.

Артикул: 1136120 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №1	10-12 дней	1.360,00руб.	1.264,80руб.	1.196,80руб.	1.156,00руб.	1.115,20руб.	1.094,80руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №2	7-10 дней	1.536,80руб.	1.387,20руб.	1.360,00руб.	1.305,60руб.	1.264,80руб.	1.237,60руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №3	7-10 дней	1.659,20руб.	1.496,00руб.	1.455,20руб.	1.414,40руб.	1.332,80руб.	1.251,20руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №4	7-10 дней	1.618,40руб.	1.455,20руб.	1.428,00руб.	1.373,60руб.	1.319,20руб.	1.244,40руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №5	5 дней	2.312,00руб.	2.080,80руб.	2.040,00руб.	1.958,40руб.	1.890,40руб.	1.727,20руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №6	6 дней	2.298,40руб.	2.067,20руб.	2.023,68руб.	1.944,80руб.	1.876,80руб.	1.713,60руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FGL40N120ANTU, БТИЗ транзистор, 64 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ The FGL40N120ANTU is a 1200V NPT IGBT. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low saturation voltage
• High input impedance
• High speed switching

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-264
Рассеиваемая Мощность	500Вт
DC Ток Коллектора	64А