5e2e11fb4a5fe606284c4e0e10c89c2e

FDA28N50F, Транзистор MOSFET N-CH 500V 28A [TO-3PN]

Поставка электронных компонентов в Казань

360,00 руб.

x 360,00 = 360,00
Артикул: 1128954 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней360,00руб.334,80руб.324,00руб.316,80руб.306,00руб.288,00руб.280,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней676,80руб.622,80руб.612,00руб.597,60руб.576,00руб.543,60руб.529,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней687,60руб.633,60руб.619,20руб.604,80руб.576,00руб.547,20руб.536,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней432,00руб.396,00руб.388,80руб.378,00руб.367,20руб.345,60руб.334,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней626,40руб.576,00руб.561,60руб.550,80руб.532,80руб.500,40руб.486,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней392,40руб.363,60руб.352,80руб.345,60руб.334,80руб.313,20руб.306,00руб.

Характеристики

FDA28N50F, Транзистор MOSFET N-CH 500V 28A [TO-3PN]UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.