16

HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт

Поставка электронных компонентов в Казань

390,00 руб.

x 390,00 = 390,00
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней390,00руб.362,70руб.351,00руб.343,20руб.331,50руб.312,00руб.304,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней733,20руб.674,70руб.663,00руб.647,40руб.624,00руб.588,90руб.573,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней744,90руб.686,40руб.670,80руб.655,20руб.624,00руб.592,80руб.581,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней468,00руб.429,00руб.421,20руб.409,50руб.397,80руб.374,40руб.362,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней678,60руб.624,00руб.608,40руб.596,70руб.577,20руб.542,10руб.526,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней425,10руб.393,90руб.382,20руб.374,40руб.362,70руб.339,30руб.331,50руб.

Характеристики

HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.

• Short-circuit rating
• Avalanche rated
• 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
• 140ns Fall time @ TJ = 150 C
• 298W Total power dissipation @ TC = 25 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB

Рассеиваемая Мощность

298Вт

DC Ток Коллектора

35А