cbfe1b4e74b909c4c55b3a1956cd39ba

IKW40N65H5FKSA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.65 В, 255 Вт

Поставка электронных компонентов в Казань

430,00 руб.

x 430,00 = 430,00
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней430,00руб.399,90руб.387,00руб.378,40руб.365,50руб.344,00руб.335,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней808,40руб.743,90руб.731,00руб.713,80руб.688,00руб.649,30руб.632,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней821,30руб.756,80руб.739,60руб.722,40руб.688,00руб.653,60руб.640,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней516,00руб.473,00руб.464,40руб.451,50руб.438,60руб.412,80руб.399,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней748,20руб.688,00руб.670,80руб.657,90руб.636,40руб.597,70руб.580,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней468,70руб.434,30руб.421,40руб.412,80руб.399,90руб.374,10руб.365,50руб.

Характеристики

IKW40N65H5FKSA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.65 В, 255 Вт The IKW40N65H5 is a High Speed IGBT in TRENCHSTOP™ 5 technology co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode. The TRENCHSTOP™ 5 IGBT technology redefines best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow. It features best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability.

• Factor 2.5 lower Qg
• Factor 2 reduction in switching losses
• Low COES/EOSS
• Mild positive temperature coefficient VCE (sat)
• Temperature stability of Vf
• Higher power density design
• 200mV Reduction in VCE (sat)
• 50V Increase in the bus voltage possible without compromising reliability
• Green product
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

255Вт

DC Ток Коллектора

40А