395f00af333bb8ce6f51ffae822c3bed

IKZ75N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.42 В, 395 Вт

Поставка электронных компонентов в Казань

910,00 руб.

x 910,00 = 910,00
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней910,00руб.846,30руб.819,00руб.800,80руб.773,50руб.728,00руб.709,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.710,80руб.1.574,30руб.1.547,00руб.1.510,60руб.1.456,00руб.1.374,10руб.1.337,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.738,10руб.1.601,60руб.1.565,20руб.1.528,80руб.1.456,00руб.1.383,20руб.1.355,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.092,00руб.1.001,00руб.982,80руб.955,50руб.928,20руб.873,60руб.846,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.583,40руб.1.456,00руб.1.419,60руб.1.392,30руб.1.346,80руб.1.264,90руб.1.228,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней991,90руб.919,10руб.891,80руб.873,60руб.846,30руб.791,70руб.773,50руб.

Характеристики

IKZ75N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.42 В, 395 Вт The IKZ75N65ES5XKSA1 from Infineon is a TRENCHSTOP ™ 5S soft switching IGBT in 4 pin TO-247 package. TRENCHSTOP ™ 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. The TRENCHSTOP™ 5S family is the new IGBT family addressing applications switching between 10KHz and 40KHz to deliver high efficiency, faster time to market cycles, circuit design complexity reduction. The TO-247 4 pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP™ 5 IGBT to the next level of best in class switching performance. The standard TO-247 package body has been taken and an extra, 4th pin, has been added to enable the Kelvin emitter configuration. The 4 pin TO-247 features over 20% total switching loses reduction compared to standard TO-247-3 and improves system efficiency or power density. It is typically used in industrial UPS, industrial SMPS, energy storage, charger and welding.

• High speed smooth switching device for hard and soft switching
• Plug and play replacement of previous generation IGBTs
• Low gate charge QG, very low control inductance loop
• 650V breakdown voltage, IC collector current 75A
• Very low VCEsat of 1.42V at Tvj = 25 C
• 4V gate-emitter threshold voltage at IC = 0.50mA, VCE = VGE
• Maximum junction temperature 175 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

395Вт

DC Ток Коллектора

80А