Транзистор IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Казань

26,00 руб.

Артикул: 1125967 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	26,00руб.	24,18руб.	23,40руб.	22,88руб.	21,32руб.	20,80руб.	20,28руб.	18,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	47,06руб.	43,16руб.	42,38руб.	41,34руб.	38,48руб.	37,70руб.	36,66руб.	33,02руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	60,84руб.	56,16руб.	54,86руб.	53,56руб.	49,92руб.	48,62руб.	47,58руб.	42,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	31,20руб.	28,60руб.	28,08руб.	27,30руб.	25,48руб.	24,96руб.	24,18руб.	21,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	60,06руб.	55,38руб.	54,08руб.	52,78руб.	51,22руб.	49,40руб.	46,80руб.	42,12руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]The IRF7313PBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated