Транзистор IRF7314PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 5.3А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Казань

28,00 руб.

Артикул: 1125968 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	28,00руб.	26,04руб.	25,20руб.	24,64руб.	22,96руб.	22,40руб.	21,84руб.	20,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	50,68руб.	46,48руб.	45,64руб.	44,52руб.	41,44руб.	40,60руб.	39,48руб.	35,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	65,52руб.	60,48руб.	59,08руб.	57,68руб.	53,76руб.	52,36руб.	51,24руб.	45,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	33,60руб.	30,80руб.	30,24руб.	29,40руб.	27,44руб.	26,88руб.	26,04руб.	23,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	64,68руб.	59,64руб.	58,24руб.	56,84руб.	55,16руб.	53,20руб.	50,40руб.	45,36руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7314PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 5.3А [SO-8]The IRF7314PBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated