7

IRF8788PBF, Транзистор, N-канал 30В 24А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Казань

90,00 руб.

x 90,00 = 90,00
Артикул: 1126038 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней90,00руб.83,70руб.81,00руб.79,20руб.73,80руб.72,00руб.70,20руб.64,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней162,90руб.149,40руб.146,70руб.143,10руб.133,20руб.130,50руб.126,90руб.114,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней210,60руб.194,40руб.189,90руб.185,40руб.172,80руб.168,30руб.164,70руб.147,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней108,00руб.99,00руб.97,20руб.94,50руб.88,20руб.86,40руб.83,70руб.75,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней207,90руб.191,70руб.187,20руб.182,70руб.177,30руб.171,00руб.162,00руб.145,80руб.

Характеристики

IRF8788PBF, Транзистор, N-канал 30В 24А [SO-8]The IRF8788PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The latest HEXFET® power MOSFET silicon technology into the industry standard package. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications.

• Very low gate charge
• Low gate impedance
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
• 20V VGS Maximum gate rating

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n-канал