Транзистор IRFH5007TRPBF,Nкан 75В 100А 5.9мОм PQFN5x6

Поставка электронных компонентов в Казань

199,00 руб.

Артикул: 1127520 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	199,00руб.	185,07руб.	179,10руб.	175,12руб.	169,15руб.	159,20руб.	155,22руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	374,12руб.	344,27руб.	338,30руб.	330,34руб.	318,40руб.	300,49руб.	292,53руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	380,09руб.	350,24руб.	342,28руб.	334,32руб.	318,40руб.	302,48руб.	296,51руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	238,80руб.	218,90руб.	214,92руб.	208,95руб.	202,98руб.	191,04руб.	185,07руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	346,26руб.	318,40руб.	310,44руб.	304,47руб.	294,52руб.	276,61руб.	268,65руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	216,91руб.	200,99руб.	195,02руб.	191,04руб.	185,07руб.	173,13руб.	169,15руб.

Характеристики

Характеристики

IRFH5007TRPBF,Nкан 75В 100А 5.9мОм PQFN5x6N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Загрузка