16

IRFR4615PBF, Транзистор, N-канал 150В 33А, [D-PAK]

Поставка электронных компонентов в Казань

60,00 руб.

x 60,00 = 60,00
Артикул: 1126221 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней60,00руб.55,80руб.54,00руб.52,80руб.49,20руб.48,00руб.46,80руб.43,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней108,60руб.99,60руб.97,80руб.95,40руб.88,80руб.87,00руб.84,60руб.76,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней140,40руб.129,60руб.126,60руб.123,60руб.115,20руб.112,20руб.109,80руб.98,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней72,00руб.66,00руб.64,80руб.63,00руб.58,80руб.57,60руб.55,80руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней138,60руб.127,80руб.124,80руб.121,80руб.118,20руб.114,00руб.108,00руб.97,20руб.

Характеристики

IRFR4615PBF, Транзистор, N-канал 150В 33А, [D-PAK]The IRFR4615PBF is a 150V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал