IRFR5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [D-PAK]

Поставка электронных компонентов в Казань

32,00 руб.

Артикул: 1126224 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	32,00руб.	29,76руб.	28,80руб.	28,16руб.	26,24руб.	25,60руб.	24,96руб.	23,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	57,92руб.	53,12руб.	52,16руб.	50,88руб.	47,36руб.	46,40руб.	45,12руб.	40,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	74,88руб.	69,12руб.	67,52руб.	65,92руб.	61,44руб.	59,84руб.	58,56руб.	52,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	38,40руб.	35,20руб.	34,56руб.	33,60руб.	31,36руб.	30,72руб.	29,76руб.	26,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	73,92руб.	68,16руб.	66,56руб.	64,96руб.	63,04руб.	60,80руб.	57,60руб.	51,84руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [D-PAK]The IRFR5305PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Surface mount
• Advanced process technology
• ±20V Gate-source voltage