011

Транзистор STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK

Поставка электронных компонентов в Казань

243,00 руб.

x 243,00 = 243,00
Сроки поставки выбранного компонента в Казань уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней243,00руб.225,99руб.218,70руб.213,84руб.206,55руб.194,40руб.189,54руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней456,84руб.420,39руб.413,10руб.403,38руб.388,80руб.366,93руб.357,21руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней464,13руб.427,68руб.417,96руб.408,24руб.388,80руб.369,36руб.362,07руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней291,60руб.267,30руб.262,44руб.255,15руб.247,86руб.233,28руб.225,99руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней422,82руб.388,80руб.379,08руб.371,79руб.359,64руб.337,77руб.328,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней264,87руб.245,43руб.238,14руб.233,28руб.225,99руб.211,41руб.206,55руб.

Характеристики

STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAKThe STD11NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to strip layout yields lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Дополнительная информация

Корпус

dpak

Структура

n-канал